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시험분석 및 장비활용지원

불량분석 서비스

시료 전처리

Decapsulation( Epoxy molding compound 제거 전처리)

전자 부품은 내부의 chip을 보호하기 위해 epoxy molding compound라고 불리는 합성 봉지제로 둘러싸여 있습니다. 내부의 chip 혹은 gold wire, lead frame을 관찰하기 위해 합성 봉지제를 제거하는 과정을 decapsulation이라 명칭 합니다.
Decapsulation은 크게 EMC 일부분을 선택적으로 제거하는 hole decapsulation과 EMC 전부를 제거하는 full decapsulation으로 구분됩니다. Hole decapsulation의 경우 내부의 wire와 bonding pad에 damage 없이 EMC를 제거하는 공정이므로 추가적인 전기적 측정이 가능하다는 장점을 가지고 있습니다. 또한 EMC 뿐만 아니라 glass 재질이나 금속 재질의 device에 대한 decapsulation도 서비스 되고 있습니다.
Decapsulation ( Epoxy molding compound 제거 전처리)

Decapsulation 적용 분야

  • EMMI 측정을 위한 전처리
  • FIB 회로 수정을 위한 전처리
  • 내부 chip의 불량 분석을 위한 전처리

Delayering(Chip 내부 층 제거 전처리)

반도체는 여러 층의 금속층과 산화막으로 구성되어 있습니다. 반도체 내부의 구조 및 분석을 위해 각 층을 하나씩 제거하여야 할 경우 delayering을 실시하게 됩니다. 화학약품을 이용한 습식 식각과 gas를 이용한 건식 식각 및 물리 화학적 기법을 이용한 polishing 기법을 이용하여 내부 층을 하나씩 제거할 수 있습니다.
Metal 4 Layer / Metal 3 Layer / Metal 2 Layer / Metal 1 Layer / Poly Layer / Active Layer

Delayering 적용 분야

  • Aluminum layer etch
  • Copper layer etch
  • Silicon oxidation layer etch
  • Polysilicon layer etch
  • 화합물 반도체 각 layer etch 및 분석
  • 반도체 불량 분석
  • Reverse engineering

Cross Section(단면 분석 기법)

전자부품이나 PCB, SMT level에 대해 단면을 관찰하는데 사용되는 분석 기법입니다. 원하는 부위의 단면 확인을 통해 구조 분석 및 불량의 원인을 검출합니다.
Scanning acoustic tomography를 통해 검출된 박리 현상에 대해 정확한 불량 부위를 확인할 때 사용되며, solder joint crack이나 solder resist crack과 같이 검출이 어려운 불량을 확인하기 위해 많이 사용됩니다.
Cross Section (단면 분석 기법)

Cross Section 적용 분야

  • Package, Chip 구조 분석
  • Reverse Engineering
  • PCB 분석
  • Solder Joint 분석

FIB(Focused Ion Beam, 미세 단면/증착 전처리)

Focused ion beam은 시료 표면에 이온 빔을 주사하여 영상처리한다는 점에서 SEM과 유사합니다. 또한 이온 빔을 주사함으로 시료 미세 부위에 원하는 형태대로 식각을 할 수 있으며 Pt를 증착하여 원하는 부위에 원하는 형태로 증착을 할 수 있습니다. 이러한 특성을 이용하여 반도체 회로수정에 사용되며, 미세 부위에서 발생되는 불량 부위에 대해 단면 분석을 수행할 수 있습니다.
FIB (Focused Ion Beam, 미세 단면/증착 전처리)

FIB 적용 분야

  • 회로 수정
  • Chip 구조 분석
  • Chip 불량분석
  • Intermetalliccompound 구조 분석